Моя заявка (0)
FDH047AN08A0, MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005537570
Артикул
FDH047AN08A0
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
45 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
88 ns
Цена по запросу
(от 970 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:45 ns
Packaging:Tube
Rise Time:88 ns
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:FDH047AN08A0_NL
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:138 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:450
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:310 W
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А47
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.7 MOhms

Техническая документация