Моя заявка (0)
FDG8842CZ, МОП-Транзистор SOT-323-6L

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017626226
Артикул
FDG8842CZ
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDG8842CZ
Product:
MOSFET Small Signals
Fall Time:
1 ns, 16 ns
Цена по запросу
(от 255,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDG8842CZ
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:1 ns, 16 ns
Rise Time:1 ns, 16 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot-323
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-6
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.03 nC, 1.2 nC
СтруктураМОП-транзистор
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:360 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:4 nS, 6 nS
Typical Turn-Off Delay Time:9 nS, 35 nS
Id - Continuous Drain Current:750 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:400 mOhms, 1.1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация