FDG6321C Dual Digital Transistor, 6-Pin SC-70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016713702
- Артикул
- FDG6321C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- FET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDG6321C
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 96,39 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Эти двуxканальные полевые транзисторы с режимом повышения логического уровня в режиме N & P-канала производятся с использованием запатентованной теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDG6321C |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 8.5 ns, 8 ns |
| Rise Time: | 8.5 ns, 8 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SC-70 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-6 |
| Part # Aliases: | FDG6321C_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.64 nC, 1.1 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns, 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns, 55 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA, 410 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.45 S, 0.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |