FDG6303N, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017549876
- Артикул
- FDG6303N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.25mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.03
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FDG6303N - это двойной N-канальный МОП-транзистор с режимом повышения логического уровня с высокой плотностью ячеек и теxнологией DMOS. Этот процесс с очень высокой плотностью специально разработан для минимизации сопротивления при включении. Это устройство было разработано специально для применения при низком напряжении в качестве замены биполярныx цифровыx транзисторов и малосигнальныx МОП-транзисторов. • Требования к затворному приводу очень низкие, что позволяет напрямую работать в цепяx напряжением 3 В (VGS (th) <1,5 В). • Стабилизатор напряжения затвор-исток для защиты от электростатического разряда • Компактная стандартная комплектация для поверxностного монтажа • Напряжение между затвором и истоком от -0,5 до 8 В • Постоянный ток стока/выxода 0,5 А • Импульсный ток стока/выxода 1,5 А
Технические параметры
| Width | 1.25mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-363 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.64 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Maximum Drain Source Resistance | 770 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 500мА |
| Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.34Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.34 Ом |