Моя заявка (0)

FDD9407-F085, Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

FDD9407-F085, Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002307700
Артикул
FDD9407-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 356 ₽)
Минимальный заказ: 213 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 100A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

TabTab
PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.1 mm
Package Length6.54 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)18
Typical Rise Time (ns)48
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)227000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)86
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)86@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)27
Maximum Drain-Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)42
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)100
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6390@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)2@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация