FDD8896, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 94А, 80Вт, DPAK, PowerTrench® "ON Semi"
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010255045
- Артикул
- FDD8896
- Бренд
- Нет торговой марки
- Width
- 6.22mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.66
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 94А, 80Вт, DPAK, PowerTrench®
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.66 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 94 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 94 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |