Моя заявка (0)
FDD8896, Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002305597
Артикул
FDD8896
Бренд
ON Semiconductor***
Width
6.22mm
Series
PowerTrench
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 115 ₽)
Минимальный заказ: 656 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V N-Channel PowerTrench

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesPowerTrench
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г1
Длина6.73 mm
СерияFDD8896
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.39 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада41 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation80 W
Typical Gate Charge @ Vgs46 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Qg - заряд затвора60 nC
Maximum Drain Source Resistance9 mΩ
Время нарастания106 ns
Maximum Continuous Drain Current94 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности80 W
Другие названия товара №FDD8896_NL
Id - непрерывный ток утечки94 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения53 ns
Типичное время задержки при включении9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V

Техническая документация