FDD8880, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 58А; 55Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017565948
- Артикул
- FDD8880
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Width
- 6.22mm
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Width | 6.22mm |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 58A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 55W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 15mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 30V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 55 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |