Моя заявка (0)
FDD8876, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024983848
Артикул
FDD8876
Бренд
ON Semiconductor***
Case
DPAK
Тип
Power Trench MOSFET
Mounting
SMD
Technology
PowerTrench®
Цена по запросу
(от 184,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

CaseDPAK
ТипPower Trench MOSFET
MountingSMD
TechnologyPowerTrench®
Вес, г0.37
Длина6.73 mm
СерияFDD8876
Gate charge47nC
ManufacturerONSEMI
Polarisationunipolar
Высота2.39 mm
Ширина6.22 mm
Drain current73A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation70W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13mΩ
Drain-source voltage30V
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада37 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора47 nC
Время нарастания91 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности70 W
Другие названия товара №FDD8876_NL
Id - непрерывный ток утечки73 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток11 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения44 ns
Типичное время задержки при включении8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация