FDD8876, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024983848
- Артикул
- FDD8876
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Тип
- Power Trench MOSFET
- Mounting
- SMD
- Technology
- PowerTrench®
Цена по запросу
(от 184,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Тип | Power Trench MOSFET |
| Mounting | SMD |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 0.37 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FDD8876 |
| Gate charge | 47nC |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Drain current | 73A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 70W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 13mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 37 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Время нарастания | 91 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Другие названия товара № | FDD8876_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 73 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 44 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |