FDD8870, Транзистор N-MOSFET 30В 160А 160Вт 0.0044Ом [TO-252 / DPAK.]
![FDD8870, Транзистор N-MOSFET 30В 160А 160Вт 0.0044Ом [TO-252 / DPAK.]](https://static.epl-electro.ru/lib/236/DOC021236152.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000384570
- Артикул
- FDD8870
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 5
- Корпус
- TO-252
- Структура
- MOSFET
- Количество Выводов
- 3вывод(-ов)
Цена по запросу
(от 232 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают сложные задачи на автомобильном рынке с полным соблюдением стандартов качества, безопасности и надежности.
Технические параметры
| Вес, г | 5 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | MOSFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 160А |
| Рассеиваемая Мощность | 160Вт |
| Полярность Транзистора | N Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-252aa |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0032Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0044Ом |