PowerTrench N-Channel MOSFET, 160 A, 30 V, 3-Pin DPAK FDD8870
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024693422
- Артикул
- FDD8870
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 6.22mm
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают сложные задачи на автомобильном рынке с полным соблюдением стандартов качества, безопасности и надежности.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 6.22mm |
| Height | 2.39 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | PowerTrench |
| Fall Time | 42 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 83 ns |
| Tradename | PowerTrench |
| Technology | Si |
| Вес, г | 5 |
| Unit Weight | 0.009184 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Part # Aliases | FDD8870_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 160 W |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 83 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 160 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |