Моя заявка (0)
FDD8796, Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002306554
Артикул
FDD8796
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 767 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 25V 35A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.26
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.1 mm
Package Length6.54 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)57
Typical Rise Time (ns)24
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)88000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)37
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)37@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain-Source Voltage (V)25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)99
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)35
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1960@13V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)5.7@10V
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт88
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация