FDD8782-VB, 30V 50A 7m-@10V,50A N Channel TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015831758
- Артикул
- FDD8782-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.52
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30В 50А 7 моМ при 10 В, 50А N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.52 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V, 50A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7mΩ@10V, 50A |