FDD8778-VB, TO252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025170718
- Артикул
- FDD8778-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.38
- Корпус
- to252
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 100W
Цена по запросу
(от 49,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.38 |
| Корпус | to252 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.201nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 70A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 370pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |