FDD8778, Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306552
- Артикул
- FDD8778
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- Power MOSFET
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 813 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 25V 35A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.1 mm |
| Package Length | 6.54 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Power Dissipation | 39(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 25(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 32 |
| Typical Rise Time (ns) | 22 |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 35(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 39000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 12.6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12.6@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 25 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 43 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 35 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 635@13V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 14@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |