Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 50 A, 136 A, 60 V, 3-PIn DPAK onsemI FDD86540

N-Channel MOSFET, 50 A, 136 A, 60 V, 3-PIn DPAK onsemI FDD86540

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063768243
Артикул
FDD86540
Бренд
ON Semiconductor***
Width
6.22mm
Brand:
onsemi/Fairchild
Series
PowerTrench
Series:
FDD86540
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Width6.22mm
Brand:onsemi/Fairchild
SeriesPowerTrench
Series:FDD86540
Pin Count3
Tradename:PowerTrench
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Power Dissipation127Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:90 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:127 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation127 W
Typical Gate Charge @ Vgs65 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:21.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance5.2 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0034Ом
Maximum Continuous Drain Current50 A, 136 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Непрерывный Ток Стока136А
Рассеиваемая Мощность127Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.1В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0034Ом

Техническая документация