FDD86540, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001797568
- Артикул
- FDD86540
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDD86540
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDD86540 |
| Pin Count | 3 |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Power Dissipation | 127Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 90 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 127 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 127 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 21.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0034Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A, 136 A |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 136А |
| Рассеиваемая Мощность | 127Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0034Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 136 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 127 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0034 Ом |