FDD86369-F085, 80V 90A 7.9mOhm@80A,10V 150W 4V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044373221
- Артикул
- FDD86369-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 281 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 80 В 90А (Tc) 150 Вт (Tj) для поверxностного монтажа TO-252AA
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.46 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 80A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tj) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A(Tc) |