Моя заявка (0)

FDD86367-F085, MOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

FDD86367-F085, MOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009014048
Артикул
FDD86367-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
49 ns
Вес, г
0.33
Цена по запросу
(от 261,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы onsemi Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы onsemi - это силовые МОП-транзисторы стандарта AEC-Q101, оптимизированные для использования в автомобилестроении. Они поддерживают UIS и соответствуют требованиям ROHS. Типичные области применения автомобильныx N-канальныx МОП-транзисторов onsemi включают управление автомобильным двигателем, силовой установкой, соленоидом, электроприводом и первичным выключателем для систем напряжением 12 В.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:16 ns
Rise Time:49 ns
Вес, г0.33
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:FDD86367_F085
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:68 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:227 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В