FDD86252, MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833524
- Артикул
- FDD86252
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDD86252
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 177,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDD86252 |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 1.8 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 3.1(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.3 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 150(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Continuous Drain Current | 5(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52 mOhms |