FDD86250-F085, MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063705636
- Артикул
- FDD86250-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 266,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор PowerTrench® с экранированным затвором, 150 В, 50 А, 22 Мом, типичный RDS(вкл.) = 19,4 Мом при VGS = 10 В, ID = 20 А
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.25V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22 мОм |