FDD86113LZ, MOSFETs 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833522
- Артикул
- FDD86113LZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDD86113LZ
- Tradename:
- PowerTrench
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 151,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDD86113LZ |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 29Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.087Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 104 mOhms |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 29Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.087Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |