FDD86102LZ-VB, 100V 60A 18.5m-@10V,60A N Channel TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015835518
- Артикул
- FDD86102LZ-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.39
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 60 А 18.5mOhm@10V,60N-канальный МОП-транзистор TO-252-2 соответствует требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.39 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Крутизна характеристики, S | 31 S |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18.5mΩ@10V, 60A |