FDD86102LZ, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833521
- Артикул
- FDD86102LZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.6
Цена по запросу
(от 191,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 35А, 54Вт, DPAK, PowerTrench® Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.6 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FDD86102LZ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | TrenchFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor/Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Крутизна характеристики, S | 31 S |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 31 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V, +20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 31 mOhms |