FDD850N10L, Транзистор: N-MOSFET; 100В; 11,1А; 50Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024446197
- Артикул
- FDD850N10L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 273,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22.2 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 96 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.7 A |