Моя заявка (0)

FDD8444, 40V 145A 5.2mOhm@10V,50A 153W N Channel TO-252 MOSFETs ROHS

FDD8444, 40V 145A 5.2mOhm@10V,50A 153W N Channel TO-252 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048705204
Артикул
FDD8444
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
6.22 mm
Height
2.39 mm
Цена по запросу
(от 113,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор LOW VOLTAGE

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width6.22 mm
Height2.39 mm
Length6.73 mm
SeriesFDD8444
Fall Time15 ns
PackagingCut Tape
Rise Time78 ns
TradenamePowerTrench
TechnologySi
Вес, г0.44
Длина6.73 mm
СерияFDD8444
Unit Weight0.009184 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
Высота2.39 mm
Ширина6.22 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада15 ns
Pd - Power Dissipation153 W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time12 ns
Typical Turn-Off Delay Time48 ns
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-252-3
Id - Continuous Drain Current145 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания78 ns
Rds On - Drain-Source Resistance5.2 mOhms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности153 W
Id - непрерывный ток утечки145 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения48 ns
Типичное время задержки при включении12 ns

Техническая документация