FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]
![FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]](https://static.epl-electro.ru/lib/294/DOC005294460.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001265897
- Артикул
- FDD8424H-VB
- PartNumber
- FDD8424H
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.5
- Корпус
- DPAK(4 Leads+Tab)
- Структура
- N-Channel, P-Channel
- Особенности
- комплементарная пара транзисторов
Цена по запросу
(от 73,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.5 |
| Корпус | DPAK(4 Leads+Tab) |
| Структура | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Крутизна характеристики, S | 40/18 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 108 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/38А, 10В |