Моя заявка (0)

FDD7N25LZTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 3,7А; 56Вт; DPAK

FDD7N25LZTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 3,7А; 56Вт; DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017565946
Артикул
FDD7N25LZTM
Бренд
ON Semiconductor***
Width
6.22mm
Series
UniFET
Pin Count
3
Вес, г
0.4
Цена по запросу
(от 142,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор UniFET™ относится к семейству высоковольтныx МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он обладает наименьшим сопротивлением во включенном состоянии среди планарныx МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую лавинообразную мощность.

Технические параметры

Width6.22mm
SeriesUniFET
Pin Count3
Вес, г0.4
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation56Вт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation56 W
Typical Gate Charge @ Vgs12 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage250 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance570 mΩ
Drain Source On State Resistance0.43Ом
Maximum Continuous Drain Current6.2 A
Линейка ПродукцииUniFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6.2А
Рассеиваемая Мощность56Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds250В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.43Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт56
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация