FDD7N20TM, MOSFETs 200V N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833511
- Артикул
- FDD7N20TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDD7N20TM
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 105,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDD7N20TM |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 0.26 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 43(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.7 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 200(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 43W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Continuous Drain Current | 5(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 250pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 690 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |