FDD6N50FTM, N-Channel 500 V 5.5A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063994583
- Артикул
- FDD6N50FTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 6.22 mm
- Height
- 2.39 mm
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 500V 5,5A с 3-контактным разъемом (2+ вкладки) DPAK T/R - Лента и катушка (Alt: FDD6N50FTM)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.39 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | FDD6N50F |
| Fall Time | 20.5 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 28.3 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.009184 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 89 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 33.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.15 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |