FDD5N50NZTM, MOSFETs UNIFET2 500V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833498
- Артикул
- FDD5N50NZTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- FDD5N50NZ
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 136,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UNIFET2 500V
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FDD5N50NZ |
| Channel Type | N Channel |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Power Dissipation | 62Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 21 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Время нарастания | 22 ns |
| Drain Source On State Resistance | 1.38Ом |
| Линейка Продукции | UniFET II |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Рассеиваемая Мощность | 62Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 62 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.38Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.54 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |