FDD5N50NZFTM, Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002308082
- Артикул
- FDD5N50NZFTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 62.5Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 320 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 62.5Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Квалификация | - |
| Drain Source On State Resistance | 1.47Ом |
| Линейка Продукции | UniFET II FRFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 3.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 62.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.47Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |