Моя заявка (0)

FDD5353,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

FDD5353,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8929404633
Артикул
FDD5353
Бренд
ON Semiconductor***
Case
DPAK
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDD5353
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 259 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

CaseDPAK
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDD5353
MountingSMD
Fall Time:4 ns
Rise Time:6 ns
TechnologyPowerTrench®
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.357
Gate charge65nC
Technology:Si
ManufacturerONSEMI
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Drain current50A
Manufacturer:onsemi
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation69W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance20.3mΩ
Drain-source voltage60V
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Id - Continuous Drain Current:11.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:12.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0101 Ом

Техническая документация