Моя заявка (0)
FDD5353, MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833492
Артикул
FDD5353
Бренд
ON Semiconductor***
Case
DPAK
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDD5353
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 184,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 69Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseDPAK
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDD5353
MountingSMD
Fall Time:4 ns
Rise Time:6 ns
TechnologyPowerTrench®
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.33
Gate charge65nC
Technology:Si
ManufacturerONSEMI
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current50A
Manufacturer:onsemi
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation69W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance20.3mΩ
Drain-source voltage60V
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Id - Continuous Drain Current:11.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:12.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация