FDD390N15A, MOSFETs PT5 100/20V NCH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833486
- Артикул
- FDD390N15A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 6.22mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 151,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 6.22mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDD390N15A |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 63(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18.6 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 150(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Continuous Drain Current | 26(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33.5 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |