FDD3672, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 44А, 135Вт, TO252AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018779454
- Артикул
- FDD3672
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Type
- Power MOSFET
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 44А, 135Вт, TO252AA Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Type | Power MOSFET |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Technology | UltraFET® |
| Вес, г | 0.54 |
| Gate charge | 36nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | DPAK |
| Polarisation | unipolar |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | to252 |
| Drain current | 44A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power Dissipation | 135(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 68mΩ |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Drain-source voltage | 100V |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 6.5(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 135 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |