Моя заявка (0)
FDD3670, TO-252-2 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062570978
Артикул
FDD3670
Бренд
ON Semiconductor***
Type
1PCSNChannel
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDD3670
Цена по запросу
(от 227,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDD3670
Fall Time:25 ns
Rise Time:10 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.41
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:FDD3670_NL
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:80 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)3.8W;83W
Pd - Power Dissipation:3.8 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)80nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.49nF@50V
Typical Turn-Off Delay Time:56 ns
Continuous Drain Current (Id)34A
Id - Continuous Drain Current:34 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:31 S
Rds On - Drain-Source Resistance:22 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация