FDD306P,Power MOSFET, P Channel, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8601696355
- Артикул
- FDD306P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 178 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -6,7А, 52Вт, TO252/DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 0.605 |
| Gate charge | 21nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-252 |
| Drain current | -6.7A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 52W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -12V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 52 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.7 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом |