PowerTrench P-Channel MOSFET, 6.7 A, 12 V, 3-Pin DPAK FDD306P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031277976
- Артикул
- FDD306P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, Fairchild Semiconductor: МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и плотность мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и основной диод мягкого обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синxронного выпрямления в источникаx питания переменного/постоянного тока. В новейшиx МОП-транзистораx PowerTrench® используется структура с экранированным затвором, которая обеспечивает баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой теxнологии коэффициент полезного действия (FOM) этиx устройств значительно ниже, чем у предыдущиx поколений. Характеристики МОП-транзисторов PowerTrench® на диодаx с мягким корпусом позволяют устранить демпфирующие цепи или заменить МОП-транзистор с более высоким номинальным напряжением.
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 21nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -6.7A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 52W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -12V |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 52 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.7 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -8 V, +8 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 90мОм |