FDD2670, MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442724
- Артикул
- FDD2670
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Тип
- MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 233,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 200V 18A Q-FET
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Вес, г | 0.26 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FDD2670 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Power Dissipation | 3.2(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 200(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 25 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 3.6(A) |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Торговая марка | ON Semiconductor/Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 43 nC |
| Время нарастания | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.2 W |
| Другие названия товара № | FDD2670_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Крутизна характеристики, S | 15 S |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V, +20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 130 mOhms |