Моя заявка (0)

FDD2582,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Surface Mount

FDD2582,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8597711458
Артикул
FDD2582
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDD2582
Fall Time:
19 ns
Цена по запросу
(от 197 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDD2582
Fall Time:19 ns
Rise Time:19 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.26
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Part # Aliases:FDD2582_NL
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:25 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:95 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Id - Continuous Drain Current:21 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:66 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.058 Ом

Техническая документация