FDD18N20LZ-VB, 200V 30A 55m-@10V,30A N Channel TO-252-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015878684
- Артикул
- FDD18N20LZ-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.49
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
200В 30А 55 Мом при 10 В, 30А N-канальные МОП-транзисторы TO-252 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.49 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 55mΩ@10V, 30A |