FDD16AN08A0-F085, Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038822339
- Артикул
- FDD16AN08A0-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- Yes
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Минимальный заказ: 361 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 75V 9A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R Автомобильный AEC-Q101
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Yes |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.1 mm |
| Package Length | 6.54 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 54 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 135000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 31 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 31@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 75 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1874@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 16@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |