FDD1600N10ALZ, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 6.8 A, 0.124 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8878714598
- Артикул
- FDD1600N10ALZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- FDD1600N10ALZ
- Высота
- 2.39 mm
Цена по запросу
(от 181 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | FDD1600N10ALZ |
| Высота | 2.39 mm |
| Корпус | TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3.61 nC |
| Время нарастания | 14 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 14.9 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.8 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 175 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 34 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 14.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.124 Ом |