Моя заявка (0)
FDD1600N10ALZ, MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004584531
Артикул
FDD1600N10ALZ
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.26
Длина
6.73 mm
Серия
FDD1600N10ALZ
Высота
2.39 mm
Цена по запросу
(от 119,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND

Технические параметры

Вес, г0.26
Длина6.73 mm
СерияFDD1600N10ALZ
Высота2.39 mm
Ширина6.22 mm
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада14 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-252-3
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора3.61 nC
Время нарастания14 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности14.9 W
Id - непрерывный ток утечки6.8 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки2500
Rds Вкл - сопротивление сток-исток175 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения13 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.34 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт14.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)150мОм

Техническая документация