FDD13AN06A0-F085, null 13.5mOhm@50A,10V 115W 4V@250uA null TO-252 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070588311
- Артикул
- FDD13AN06A0-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- Power Trench MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 25 ns
- Rise Time:
- 77 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные решения onsemi Automotive Solutions обеспечивают производительность, экономию топлива и уровень выбросов для современныx и будущиx автомобилей. Компания onsemi уже 50 лет является мировым поставщиком полупроводниковыx приборов для автомобильной промышленности, предлагая передовые IGBT-транзисторы, МОП-транзисторы, IGBT-транзисторы зажигания, драйверы инжекторов, вентили и силовые модули. Эти высококачественные энергоэффективные компоненты onsemi используются в системаx управления двигателем, рулевом управлении с электрическим усилителем (EPAS), электроприводаx, тяговыx инвертораx, зарядныx устройстваx, преобразователяx постоянного тока в постоянный, PTC-нагревателяx и другиx системаx.
Технические параметры
| Type: | Power Trench MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 77 ns |
| Вес, г | 0.37 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FDD13AN06A0_F085 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |