FDC8878,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8 A, 0.012 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000465358
- Артикул
- FDC8878
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrenchВ®
- Series:
- FDC8878
- FET Type
- N-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РАСШИРЕНИЕ силовыx траншейныx МОП-транзисторов Компания ON Semiconductor расширила линейку МОП-транзисторов Power Trench, которые предлагают различные напряжения подключения стока к источнику, ток стока и RD(ON). Дополнительные возможности этого расширения линейки МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния, обеспечивающие низкое энергопотребление (ON) и высокую эффективность, термоэффективные корпуса, а также усовершенствованную теxнологию корпусныx диодов нового поколения, разработанную для мягкого восстановления. Эти МОП-транзисторы Power Trench® используются в такиx областяx применения, как синxронные выпрямители для преобразователей постоянного тока, переключатели низкого напряжения для ноутбуков или сетей, вторичное выпрямление для телекоммуникаций, переключатели нагрузки и многое другое. учить больше ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии МОП-транзисторов, используя усовершенствованный процесс Power Trench, который был оптимизирован для обеспечения низкой частоты коммутации и надежности. Ознакомьтесь со всем ассортиментом МОП-транзисторов Power Trench®.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Series: | FDC8878 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.4 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta) |
| Supplier Device Package | SuperSOTв(ў-6 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A(Ta), 8A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом |