FDC86244, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017547276
- Артикул
- FDC86244
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Width
- 1.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
Цена по запросу
(от 33,45 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
150 В 2,3 А 144mOhm@2.3A, 10 В 1,6 Вт 4 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы SuperSOT-6, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDC86244 |
| Pin Count | 6 |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.2A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 273 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 144 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 95mΩ@10V, 3.2A |