FDC658P,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8915898279
- Артикул
- FDC658P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SuperSOT-6
- Width
- 1.7mm
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 165 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.
Технические параметры
| Case | SuperSOT-6 |
| Width | 1.7mm |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 6 |
| Technology | PowerTrench® |
| Вес, г | 0.016 |
| Gate charge | 12nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -4A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.6W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -30V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.041 Ом |