FDC6561AN, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8881600565
- Артикул
- FDC6561AN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.7mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.043
Цена по запросу
(от 107 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 2,5А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.043 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.3 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 152 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.082Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.082 Ом |